发明名称 减少接地电压跳动之输出级
摘要 本发明提供一个能减少电源端或接地端电压跳动的输出级,而此种跳动现象系起因于多个输出信号同时在变换时一电容负载所造成。本发明之输出级包含有:一第一控制装置,及一第二控制装置;第一控制装置因应一输入信号产生一第一控制信号至第一MOS电晶体的闸端,第一控制装置与源端 (Vdd) 连结;第二控制装置因应该输入信号产生一第二控制信号至第二MOS电晶体之闸端,该第二控制装置与地端(GND)连结。本发明尚包含有:一第一闸控装置及一第二闸控装置,第一闸控装置因应于该输入信号以部份地接通两个MOS电晶体中之一个;第二闸控装置因应于该输入信号及输出信号,将前述被部份接通之MOS电晶体予以完全地接通。
申请公布号 TW205120 申请公布日期 1993.05.01
申请号 TW081106577 申请日期 1992.08.19
申请人 宏獃电脑股份有限公司 发明人 郑嘉麟
分类号 H03K17/16;H03K21/40 主分类号 H03K17/16
代理机构 代理人
主权项 1﹒一种能减少源端/地端电压跳动现象的输出级, 此输出级具一第一MOS 电晶体及一第二MOS电晶体互相串接,第一MOS电晶体 具一源、一汲 及一闸端,第二MOS电晶体具一源、汲及闸端,第一 MOS电晶体的吸 端与第二MOS电晶体的汲端连结处构成一输出端,此 一输出级包含:一 第一控制装置,其因应一输入信号,将第一及第二 MOS电晶体两者其中 之一个予以断开;一第二控制装置,其因应该输入 信号,使两者其中之另 一个MOS电晶体准备在输出端输出一输出信号;一第 一闸控装置,其因 应该输入信号,将前述其中之另一个MOS电晶体部份 地接通;一第二闸 控装置,其因应该输入及输出信号,将前述其中之 另一个MOS电晶体完 全地接通;因此当输出信号在变换状态所产生之地 端或源端电压跳动现象 得以减低。 2﹒如申请专利范围第1项所述之输出级,其中之第 一MOS电晶体为一PM OS电晶体。 3﹒如申请专利范围第1项所述之输出级,其中之第 二MOS电晶体为一NM OS电晶体。 4﹒如申请专利范围第1项所述之输出级,其中之第 一控制装置包含一PMO S电晶体,此一PMOS电晶体具一闸端与输入信号连结, 一源端与Vd d连结,及一汲端输出一第一控制信号。 3﹒如申请专利范围第1项所述之输出级,其中之第 二控制装置包含一NMO S电晶体,此一NMOS电晶体具一闸端与输入信号连结, 一源端与GN D连结,及一汲端输出一第二控制信号。 6﹒如申请专利范围第1项所述之输出级,其中之第 一闸控装置包含:一PM OS电晶体,此PMOS电晶体具一闸端,一输入端经由一 反相器与输入 信号连结,及一输出端以输出一第三控制信号;及7 ﹒如申请专利范围第 1项所述之输出级,其中之第二闸控装置包含;一NMOS 电晶体,此N MOS电晶体具一闸端,一输入端经由一反相器与输入 信号连结,及一找 出端以输出一第四控制信号;一NMOS电晶体,此NMOS电 晶体具一 输入端经由一反相器与输入信号连结,一闸端与输 出信号连结,及一输出 端输出一第五控制信号;及﹒PMOS电晶体,此PMOS电晶 体具一输 入端经由一反相器与输入信号连结,一闸端与输出 信号连结,及一输出端 输出一第六控制信号;及8﹒如申请专利范围第6项 所述之输出级,其中 当输入信号由逻辑1变换成0时,第一MOS电晶体被断 开,第四控制信 号被有效动作而在第一阶段将第二MOS电晶体部份 地接通,然后第六控 制信号跟着被有效动作而在第二阶段将第二MOS电 晶体完全地接通。 9﹒如申请专利范围第6项所述之输出级,其中当输 入信号由逻辑0变换成1 时,第二MOS电晶体被断开,第三控制信号被有效动 作而在第一阶段将 第一MOS电晶体部份地接通,然后第五控制信号跟着 被有效动作而在第 二阶段将第一MOS电晶体完全地接通。 20﹒一种能减少源端/地端电压跳动现象的输出级, 此输出级具一第一MO S电晶体及一第二MOS电晶体互相串接,第一MOS电晶 体具一源、 一汲及一闸端,第二MOS电晶体具一源、汲及闸端, 第一MOS晶体 体的汲端与第二MOS电晶体的汲端连结处构成一输 出端,此输出级包 含:一第一控制装置,其因应一输入信号,将第一及 第二MOS电晶体 两者其中之个予以断开;一第二控制装置,其因应 该输入信号,使两者 其中之另一个MOS电晶体准备在输出端输出一输出 信号;一第一闸控 装置,其因应该输入信号,以提供一第一控制信号; 35一第二闸控装 置,其因应该输入及输出信号,以提供一第二控制 信号;一第三闸控装 置,其因应该第一控制信号,以将两者其中之另一 个MOS电晶体部份 地接通;一第四闸控装置,其因应该第二控制信号 及输出信号,将两者 其中之另一个MOS电晶体完全地接通;因此当输出信 号在变换状态所 产生之地端或源端电压跳动现象得以减低。 11﹒如申请专利范围第10项所述之输出级,其其中 之第一闸控装置包含: pMOS电晶体,此PMOS电晶体具有一闸端,一输入端经由 一反相 器与输入信号连结,第一输出端;﹒NMOS电晶体,此 NMOS电晶 体具有一﹒闸端,一输入端经由一反相器与输入信 号连结,及一输出端 ;而因应输入信号,由前述PMOS及NMOS电晶体的输出端 其中之 一输出第一控制信号。 12﹒如申请专利范围第10项所述之输出级,其其中 之第二闸控装置包含: ﹒NMOS电晶体,此NMOS电晶体具一输入端经由一反相 器与输入 信号连结,一闸端与输出信号连结,及一输出端:一 PMOS电晶体, 此PMOS电晶体具一输入端经由一反相器与输入信号 连结,一闸端与 输出信号连结,及一输出端;而因应输入及输出信 号,由前述PMOS 及NMOS电晶体的输出端其中之一输出第二控制信号 。 13﹒如申请专利范围第10项所述之输出级,其其中 之第二闸控装置包含: ─PMOS电晶体,此PMOS电晶体具一闸端及输入端共同 与第一控 制信号连结,及一输出端;一NMOS电晶体,此NMOS电晶 体具一 闸端及输入端共同与第一控制信号连结,及一输出 端;而因应第一控制 信号,由前述PMOS及NMOS电晶体的输出端其中之一输 出一第三 控制信号至前述其中之另一个MOS电晶体的闸端。 14﹒如申请专利范围第10项所述之输出级,其其中 之第四闸控装置包含: NMOS电晶体,此NMOS电晶体具一输入端与第二控制信 号连结, 一闸端与输出信号连结,及一输出端;﹒PMOS电晶体, 此PMOS 电晶体具一输入端与第二控制信号连结,一闸端与 输出信号连结,及一 输出端;而因应第二控制信号及输出信号,由前述 PMOS及NMOS 电晶体的输出端其中之一输出一第四控制信号至 前述其中之另一个MO S电晶体的闸端。 15﹒一种在一电路元件中减少地端/源端电压跳动 的方法,此电路元件具一 输出级与电容负载连结,此输出级包括一第一MOS电 晶体及一第二M OS电晶体互相串接,第一MOS电晶体具一汲、源及闸 端,第二MO S电晶体具一汲、源及闸端,第一MOS电晶体的汲端 与第二MOS电 晶体的汲端连结构成一输出端以输出一输出信号, 此方法包含下列步骤 :接收一输入控制信号;提供一第一控制信号将第 一及第二MOS电晶 体两者其中之一个予以断开,一第二控制信号将其 中之另一个MOS电 晶体部份地接通;以及提供一第三控制信号将前述 其中之另一个MOS 电晶体完全地接通。图示简单说明: 第l图揭示习知技术中电子元件的输 出级。 第2图揭示本发明之一较佳实施例。 第3图揭示第l图中相关信号之波形。 第4图揭示第2图中相关信号之波形。 第5图揭示本发明之另一较佳实施例。 第6图揭示本发明之再一较佳实施例 。
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