| 主权项 |
1﹒一种故障随机存取记忆体之再利用方法,系可 将两组分别损坏在左半区域 及右半区域的记忆体重新组合,成为可再被使用的 记忆体,包括下列步骤 :首先,提供一电子线路以分别找寻出损坏在左半 侧位置区域及损坏在右 半侧位置区域的RAM,此电子线路包括:两个开关装 置,且此两开关装 置的控制端可控制开关装置输入、输出端之导通 与否,其中一个可被高电 位触发导通,另一个则可被低电位触发导通,开关 之输出端接有RAM, 输入端接有可致能(RNABLE)此RAM的信号,控制端则接 有此R AM的最高位元位置信号当在可被高电位触发导通 之开关串接一良好的R AM,而在可被低电位触发导通的开关串接一损坏之 RAM,而此损坏之 RAM仍能处理信号之读取动作时,则此损坏之RAM系损 坏在左半侧; 当在可被低电位触发导通之开关串接良好的RAM,而 在可被高电位触发 导通的开关串接一损坏之RAM,而此损坏之RAM仍能处 理信号之读取 动作时刖此损坏之RAM系损坏在左半侧;其次,再提 供两个分别可被高 电位及低电位触发导通之开关电路,其中可被高电 位触发导通之开关的输 出端接有若干个内部损坏在左侧的RAM,而可被低电 位触发导通之开关 的输出端则接有若干个内部损坏在右侧的RAM,此两 个开关的输入端则 接有可致能(ENABLE)此RAM的信号,两个开关的控制端 则接有 此RAM的最高位元位置信号,藉此方法,RAM的最高位 元位址信号就 会使开关电路适时开关,因此可适时致能两组RAM, 使成为可资再利用 的一组RAM者。 2﹒如申请专利范围第1项所述之故障随机存取记 忆体之再利用方法,其中该 RAM之再利用,系动态随机存取记忆体(DRAM)之再利用 者。 3﹒如申请专利范围第1项所述之故障随机存取动 态随机存取记忆体之再利用 方法,其中该最高位元位址信号系视DRAM的容量而 定,例如当DRA M为1MBits时,只有位置信号A0至A9,则其最高位元位址 信号 为A9;同理,当DRAM为1MBits,为A10;DRAM为16 MBits时,为11;以及以此类推者。 4﹒如申请专利范围第3项所述之故障随机存取记 忆体之再利用方法,其中该 开关电路的输入端,系接有CAS信号者。 3﹒如申请专利范围第4项所述之故障随机存取记 忆体之再利用方法,其中该 提供开关电路之利用,系三态闸(T─HREE、SIAT>GATE, 74FA241)之利用者。 5﹒如申请专利范围第3项所述之故障随机存取记 忆体之再利用方法,其中开 关电路的输出端所接之内部损坏之RAM的个数,系视 开关电路之规格而 定者。图示简单说明 第一图:动态随机存取记忆体在资料 被读取时的时序图。 第二图:动态随机存取记忆体在资料 被写入时的时序图。 第三图:动态随机存取记忆体的内部 容量划分为四个区域之示意图。 第四图:本发明故障随机存取记忆体 之再利用方法之实施例电路图。 第五图:本发明故障随机存取记忆体 上再利用方法之另一实施例电路图。 |
