| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括自下而上依次层叠的高k介电层、覆盖层、保护层和牺牲栅电极层；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，并执行一研磨过程以露出所述伪栅极结构的顶部；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层；去除所述伪栅极结构中的保护层；在所述伪栅极结构中的覆盖层上形成金属栅极结构。根据本发明，由于所述保护层的存在，去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层时可以避免损伤到所述伪栅极结构中的覆盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN104037073B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310068069.3 | 申请日期 | 2013.03.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括自下而上依次层叠的高k介电层、覆盖层、保护层和牺牲栅电极层；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，并执行化学机械研磨以露出所述伪栅极结构的顶部；去除所述伪栅极结构中的牺牲栅电极层，所述保护层避免去除所述牺牲栅电极层时损伤到所述覆盖层；去除所述伪栅极结构中的保护层；在所述伪栅极结构中的覆盖层上形成金属栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||