一种监测芯片保护区图案偏移的方法

摘要

本发明公开了一种监测芯片保护区图案偏移的方法，设定一个允许的尺寸范围，通过在光阻上量测芯片保护区的光刻图案边缘到离其最近的金属线的距离，作为判断芯片保护区当层图案相对前层图案的偏移程度，落入范围则进入下步工序，超出范围则返工直至落入此范围，从而可以避免后续工序因图案偏移造成的对金属线的损伤。

主权项

一种监测芯片保护区图案偏移的方法，其特征在于，包括下述步骤：a、每个芯片保护区和相邻的金属线彼此交错的平行排列分布，以待测试和切割；光刻芯片保护区时，在光阻上形成芯片保护区的光刻图案后，将芯片保护区光刻图案左侧到距其最近的金属线的距离X作为图案偏移的量测对象，用扫描电子显微镜进行量测，若满足A≤X≤B,则进入下一步工序；其中，A为芯片保护区左侧到最近的金属线所允许的最小距离，B为芯片保护区左侧到最近的金属线所允许的最大距离，B＝X₁+Y－C，X₁为芯片保护区左侧到最近的金属线的设计距离，Y为芯片保护区右侧到最近金属线的设计距离，C为芯片保护区右侧到最近的金属线所允许的最小距离；b、若X<A或者X>B，则需要返工，去除光阻，修正光刻条件后，重新光刻使其A≤X≤B。