一种MIM电容器及其制作方法

摘要

本申请公开了一种新MIM电容器及其制作方法，该MIM电容器与金属互连层的金属线和金属衬垫同步制作，以金属钨栓塞作为MIM电容器的上下电极，上下电极之间具有绝缘层，上下电极的另一端分别与其他金属互连层中的金属衬垫形成电接触，避免了原有MIM电容器结构制造中的MIM‑ARCING和MIM bridge缺陷，有效提高产品的良率，降低制造成本。

主权项

一种MIM电容器，位于嵌入式电容器芯片的金属互连层中，其特征在于，该MIM电容器的结构包括：由金属钨构成的第一钨栓塞、第二钨栓塞以及绝缘层；所述第一钨栓塞和所述第二钨栓塞分别作为上电极和下电极，所述第一钨栓塞的顶端和第二钨栓塞的底端相对，所述绝缘层位于所述第一钨栓塞和第二钨栓塞相对的两端之间；所述绝缘层与第二金属互连层中的金属衬垫位于同一水平层面，所述第一钨栓塞与所述第二金属互连层上方的第三金属互连层中的金属衬垫相连，所述第二钨栓塞与所述第二金属互连层下方的第一金属互连层中的金属衬垫相连。