发明名称 太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法
摘要 本发明涉及一种太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法,包括在复数个长方形玻璃衬底一面依次蒸镀氟化镁薄膜、ITO薄膜,在ITO薄膜上蒸镀电极后制成的单体玻璃盖片,用互联条将复数个单体玻璃盖片串联成一体,其特点是:在氟化镁薄膜上蒸镀纳米级ITO薄膜、对ITO薄膜进行退火处理。本发明采用全自动电子束加热真空蒸镀机,通过精确控制ITO材料的加热温度、蒸发速率和充氧含量,在氟化镁薄膜上蒸镀出厚度为纳米级的ITO薄膜,既保护了电池阵,使其不受恶劣环境的侵害,又不影响电池阵的光电转换效率;通过对ITO薄膜进行退火处理,确保了ITO薄膜与氟化镁薄膜之间的结合能力,ITO薄膜不脱落,提高了ITO薄膜的牢固度。
申请公布号 CN104347755B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310336630.1 申请日期 2013.08.05
申请人 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 发明人 赵宇;肖志斌;铁剑锐;许军
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人 李凤
主权项 太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法,包括在复数个长方形玻璃衬底一面蒸镀氟化镁薄膜、在氟化镁薄膜上蒸镀ITO薄膜、在ITO薄膜上蒸镀电极后制成的单体玻璃盖片,用互联条将复数个单体玻璃盖片串联成一体,其特征在于:ITO薄膜制作过程包括:⑴ITO置入坩埚,坩埚置入蒸发器中,采用全自动电子束加热真空蒸镀机,设置蒸发器的加热温度250‑300℃、蒸发速率0.5‑0.8nm/s、充氧含量30‑50mbar,ITO材料在氟化镁薄膜上蒸镀出8‑15nm厚的ITO薄膜;⑵将蒸镀有ITO薄膜的玻璃衬底放在加热炉的托盘中,在大气中进行200‑350℃、30‑40min的退火处理,自然冷却到室温。
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