| 发明名称 | 半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极包括依次并排排列的第一区域、第二区域以及第三区域，所述栅极上依次形成有第一掩膜层和第二掩膜层，所述栅极的部分侧壁形成有侧墙；在所述衬底和栅极的表面制备一多晶硅层；去除所述第一区域和第二区域上的所述多晶硅层，去除所述第一区域上的第二掩膜层，并暴露出所述第一区域上的第一掩膜层；去除所述第一区域上的第一掩膜层；在所述第一区域的上表面形成第一硅化物，并使得所述多晶硅层形成第二硅化物。本发明还公开了一种半导体器件。本发明提供的半导体器件及其制备方法能够有效地减少或避免静态随机存储器的短路。 | ||
| 申请公布号 | CN106257673A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201510348852.4 | 申请日期 | 2015.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李敏 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极包括依次并排排列的第一区域、第二区域以及第三区域，所述栅极上依次形成有第一掩膜层和第二掩膜层，所述栅极的部分侧壁形成有侧墙；在所述衬底和栅极的表面制备一多晶硅层；对所述多晶硅层和第二掩膜层进行刻蚀，去除所述第一区域和第二区域上的所述多晶硅层，去除所述第一区域上的第二掩膜层，并暴露出所述第一区域上的第一掩膜层；去除所述第一区域上的第一掩膜层；以及在所述第一区域的上表面形成第一硅化物，并使得所述多晶硅层形成第二硅化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||