| 摘要 |
본 발명의 과제는, 반도체 장치의 특성의 변동을 억제하는 것이다. 기판 상에 회로 구성이 복수 형성된 기판에 대해, 적층 절연막의 일부인 제1 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1 절연막을 연마하는 공정과, 상기 제1 절연막의 막 두께 분포를 측정하는 공정과, 연마 후의 상기 제1 절연막 상에, 상기 적층 절연막의 일부이며, 상기 막 두께 분포와는 다른 막 두께 분포의 제2 절연막을 형성하고, 상기 적층 절연막의 막 두께를 보정하는 공정을 포함한다. |
