制造FinFET器件的方法

摘要

本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并且在栅极沟槽中沉积栅极介电层。在栅极介电层上共形的沉积金属应激层(MSL)。在MSL上沉积覆盖层。对MSL施加热处理以实现体积膨胀。然后去除覆盖层并且在MSL上形成金属栅极(MG)。

主权项

一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：接收鳍式场效应晶体管前体，所述鳍式场效应晶体管前体包括：衬底；鳍，位于所述衬底上；隔离区，位于所述鳍的两侧；和伪栅极堆叠件，位于所述衬底上，包括环绕所述鳍的一部分；去除所述伪栅极堆叠件，以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的栅极沟道区中沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上形成金属应激源层(MSL)，其中，选择所述金属应激源层，以在热处理期间具有更大的体积膨胀，所述金属应激源层包括非晶态钨，并且其中，通过如下步骤形成所述非晶态钨：在所述栅极介电层上共形地沉积多晶W层；和对所述多晶W层施加注入工艺，以将其转化为所述非晶态钨；在所述金属应激源层上沉积覆盖层；对所述金属应激源层实施所述热处理；在所述热处理之后去除所述覆盖层；以及在所述金属应激源层上形成金属栅极(MG)。