| 发明名称 | 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备 | ||
| 摘要 | 基底基板、电子器件及其制造方法以及电子设备。本发明的基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；以及在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN103524149B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310246968.8 | 申请日期 | 2013.06.20 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 镰仓知之 |
| 分类号 | H05K3/38(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I;C04B41/90(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;马建军 |
| 主权项 | 一种基底基板的制造方法，其特征在于，该基底基板的制造方法包括以下步骤：准备绝缘体基板；在所述绝缘体基板上形成以包含钨和钼中的至少一种的熔点为1000℃以上的金属为主成分的第1膜；在所述第1膜上形成以镍为主成分且包含硼的第2膜；对所述第1膜和所述第2膜进行烧结处理而形成第1金属层；在所述第1金属层上形成以钯为主成分的第2金属层；以及在所述第2金属层上形成包含金的第4金属层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||