鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；在所述源区和漏区上形成半导体外延层，所述半导体外延层表面具有棱角和凸出的尖端；氧化所述棱角和凸出的尖端，形成氧化层；去除所述氧化层。本发明的相邻两个鳍式场效应晶体管的嵌入式源/漏区之间不会接触，不会产生漏电流。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；在所述源区和漏区上形成半导体外延层，所述半导体外延层表面具有棱角和凸出的尖端；氧化所述棱角和凸出的尖端，形成氧化层；去除所述氧化层。