| 发明名称 | 双镶嵌式金属栅极 | ||
| 摘要 | 一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。本发明还提供了一种双镶嵌式金属栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103928337B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310193011.1 | 申请日期 | 2013.05.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王俊杰;萧文助;周樱旻;葛翔翔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造金属栅极的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极；在所述衬底上和所述伪栅极的顶部上沉积保护层；在所述伪栅极的侧面上生长扩展层；去除所述保护层；在所述伪栅极和所述扩展层周围形成隔离件；在所述隔离件周围沉积介电层并将所述介电层平坦化；去除所述扩展层；以及去除所述伪栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||