发明名称 |
一种双向对称高速过压防护器件 |
摘要 |
本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括,NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合,其中,NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G<sub>‑</sub>,PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G<sub>+</sub>,NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A,该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。 |
申请公布号 |
CN103258815B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201310139156.3 |
申请日期 |
2013.04.19 |
申请人 |
北京燕东微电子有限公司;北京时代华诺科技有限公司 |
发明人 |
张守明;淮永进;刘伟;唐晓琦;杨京花;赵小瑞;杨显精;薛佳 |
分类号 |
H01L23/62(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/62(2006.01)I |
代理机构 |
北京正理专利代理有限公司 11257 |
代理人 |
张雪梅 |
主权项 |
一种半导体过压保护器件,该器件包括,NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管,和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管,其中,NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口,PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口,该NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口,该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口,其特征在于,所述NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管由在N型半导体基片(9<sub>N</sub>)上制作的NPN晶体管区(10<sub>N</sub>)和NPNP晶闸管区(11<sub>N</sub>)形成,所述PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管由在P型半导体基片(9<sub>P</sub>)上制作的PNP晶体管区(10<sub>P</sub>)和PNPN晶闸管区(11<sub>P</sub>)形成,所述N型半导体基片(9<sub>N</sub>)的晶体管区(10<sub>N</sub>)中,从上向下依次设有N型扩散层(12<sub>N</sub>)和P型扩散层(13<sub>N</sub>),从下向上设有N<sup>+</sup>扩散层(14<sub>N</sub>),P型扩散层(13<sub>N</sub>)与N<sup>+</sup>型扩散层(14<sub>N</sub>)之间的N型半导体基片(9<sub>N</sub>)自身的N型掺杂层(15<sub>N</sub>),以此在N型半导体基片晶体管区自上而下构成NPN型晶体管;所述P型半导体基片(9<sub>P</sub>)晶体管区(10<sub>P</sub>)中,从上向下依次设有P型扩散层(12<sub>P</sub>)和N型扩散层(13<sub>P</sub>),从下向上设有P<sup>+</sup>扩散层(14<sub>P</sub>),N型扩散层(13<sub>P</sub>)和P<sup>+</sup>扩散层(14<sub>P</sub>)之间的P型半导体基片(9<sub>P</sub>)自身的P型掺杂层(15<sub>P</sub>),以此在P型半导体基片晶体管区自上而下构成PNP晶体管。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 |