薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明涉及薄膜晶体管显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将有源层和栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。采用本发明技术方案，由于第一组保护层对栅电极金属层和有源层隔离开，因此，避免了铜扩散污染有源层，大大提高了产品的良率。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将所述有源层和所述栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金，所述第一组保护层用于防止铜扩散至所述有源层；所述栅电极还包括第二组保护层，位于栅电极金属层背离第一组保护层的一侧；所述第二组保护层包括第一栅保护层和第二栅保护层，所述第二栅保护层位于第一栅保护层和栅电极金属层之间；所述第一栅保护层的材质为氮化硅或氮化钛；所述薄膜晶体管的源/漏电极包括源/漏电极金属层和第二源/漏保护层，所述第二源/漏保护层位于源/漏电极金属层和有源层之间，将源/漏电极金属层和有源层隔离；所述源/漏电极金属层的材质为铜或铜合金；所述第二源/漏保护层的材质为钼钛合金、钼钨合金、钼锆合金、钼铌合金、钼铜合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼铪合金、钼铑合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铝合金、钼锰合金、硅化钛、硅化钨、硅化锆、硅化铌、硅化铜、硅化钒、硅化钽、硅化镍、硅化铬、硅化铪、硅化铑、硅化钴、硅化钯、硅化铂、硅化铝或硅化锰；所述有源层的材质为金属氧化物半导体、晶硅或非晶硅。