发明名称 |
非挥发性动态随机存取存储器装置、方法及单元阵列 |
摘要 |
本发明一种非挥发性动态随机存取存储器装置、方法及单元阵列,该装置包含:一非挥发性存储器元件,包含一电荷储存材质、一控制栅极电极、一第一源极电极、一第一漏极电极以及一基底电极;以及一动态随机存取存储器元件,其中,动态随机存取存储器元件包含:一存取晶体管,包含一栅极电极、一第二源极电极以及一第二漏极电极;以及一储存电容器,包含一第一板状电极以及一第二板状电极;第一板状电极、第一漏极电极以及第二漏极电极形成一储存节点。本发明在非挥发性动态随机存取存储器单元阵列中,无须放大和缓冲中间数据,可直接将储存在非挥发性存储器元件的数据载入至对应的动态随机存取存储器元件,达到高速度存取非挥发性数据的功效。 |
申请公布号 |
CN103811053B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201310308857.5 |
申请日期 |
2013.07.22 |
申请人 |
闪矽公司 |
发明人 |
王立中 |
分类号 |
G11C14/00(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)I |
主分类号 |
G11C14/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种非挥发性动态随机存取存储器装置,其特征在于,所述的非挥发性动态随机存取存储器装置包含:一非挥发性存储器元件,包含一电荷储存材质、一控制栅极电极、一第一源极电极、一第一漏极电极以及一基底电极;以及一动态随机存取存储器元件,包含:一存取晶体管,包含一栅极电极、一第二源极电极以及一第二漏极电极;以及一储存电容器,包含一第一板状电极以及一第二板状电极;其中,所述的第一板状电极、所述的第一漏极电极以及所述的第二漏极电极形成一储存节点;以及其中,当所述的非挥发性存储器元件在一低临界电压状态时,表示所述的非挥发性存储器元件储存一数据位为0;以及,其中当所述的非挥发性存储器元件在一高临界电压状态时,表示所述的非挥发性存储器元件储存一数据位为1。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |