发明名称 |
薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理 |
摘要 |
一种制造薄膜太阳能电池器件的方法包括在衬底上形成背部接触层,在背部接触层上形成GIGS吸收层,用基于金属的碱性溶液处理CIGS吸收层,以及在CIGS吸收层上形成缓冲层,其中,CIGS吸收层的处理改进CIGS吸收层和缓冲层之间的粘附性,而且还改进CIGS吸收层/缓冲层界面处的p‑n结的质量。本发明还提供了薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理。 |
申请公布号 |
CN103811584B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201310034021.0 |
申请日期 |
2013.01.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林志清;詹永平;童凯瑜;李承道 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种用于制造薄膜太阳能电池器件的方法,包括以下步骤:(a)在衬底上形成背部接触层;(b)在所述背部接触层上形成CIGS吸收层;(c)用基于金属的碱性溶液处理所述CIGS吸收层,其中,在5至50分钟的持续时间段内实施对于所述CIGS吸收层的处理,以使金属离子扩散进入所述CIGS吸收层的表面;以及(d)在所述CIGS吸收层上形成缓冲层;其中,在共同的环境中原位执行步骤(c)和步骤(d)。 |
地址 |
中国台湾新竹 |