发明名称 薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理
摘要 一种制造薄膜太阳能电池器件的方法包括在衬底上形成背部接触层,在背部接触层上形成GIGS吸收层,用基于金属的碱性溶液处理CIGS吸收层,以及在CIGS吸收层上形成缓冲层,其中,CIGS吸收层的处理改进CIGS吸收层和缓冲层之间的粘附性,而且还改进CIGS吸收层/缓冲层界面处的p‑n结的质量。本发明还提供了薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理。
申请公布号 CN103811584B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310034021.0 申请日期 2013.01.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林志清;詹永平;童凯瑜;李承道
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种用于制造薄膜太阳能电池器件的方法,包括以下步骤:(a)在衬底上形成背部接触层;(b)在所述背部接触层上形成CIGS吸收层;(c)用基于金属的碱性溶液处理所述CIGS吸收层,其中,在5至50分钟的持续时间段内实施对于所述CIGS吸收层的处理,以使金属离子扩散进入所述CIGS吸收层的表面;以及(d)在所述CIGS吸收层上形成缓冲层;其中,在共同的环境中原位执行步骤(c)和步骤(d)。
地址 中国台湾新竹