SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

고주파 특성에 악영향을 주는 게이트-드레인 캐패시턴스의 증가를 최대한 억제하면서 항복전압을 향상시키고, 소자의 고주파 특성 열화를 최소화한 반도체 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 소스 전극, 기판의 상부에, 소스 전극에 이격하여 형성되는 드레인 전극, 기판, 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에, 소스 전극 및 드레인 전극의 상부의 적어도 일부가 노출되도록 형성되며, 소정 부분에 있어서 제1 지점의 수직두께가 제2 지점의 수직두께와 상이하게 형성되는 유전막, 및 일측이 기판에 접촉하며, 타측이 유전막의 소정 부분의 상부로 연장되어 형성되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.