| 摘要 |
고비저항 기판 상에 형성된 반도체 소자 및 이를 포함하는 RF(radio Frequency) 모듈이 개시된다. 상기 반도체 소자는 상기 고비저항 기판 상에 형성된 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 감싸도록 상기 고비저항 기판에 형성된 깊은 트렌치 소자 분리 영역을 포함한다. 이때, 상기 고비저항 기판은 제1 도전형을 갖고, 상기 고비저항 기판 내에는 제2 도전형을 갖는 깊은 웰 영역이 형성되고, 상기 깊은 웰 영역 상에는 제1 도전형을 갖는 저농도 웰 영역이 형성되며, 상기 트랜지스터는 상기 저농도 웰 영역 상에 형성된다. |
