具有掩埋式场板的化合物半导体器件

摘要

本发明涉及具有掩埋式场板的化合物半导体器件。一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和在第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料。第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料，使得第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）。该半导体器件还包括设置在第一化合物半导体材料中并被电连接至半导体器件的端子的掩埋式场板。2DEG被插入掩埋式场板与第二化合物半导体材料之间。

主权项

一种半导体器件，包括：第一化合物半导体材料；在所述第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料，所述第二化合物半导体材料包括与所述第一化合物半导体材料不同的材料，使得所述第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）；以及掩埋式场板，其设置在所述第一化合物半导体材料中并被电连接至所述半导体器件的端子，2DEG被插入所述掩埋式场板与所述第二化合物半导体材料之间;其中掩埋式场板降低最大电场峰值并且增强所述半导体器件的击穿强度；还包括：在所述2DEG上的栅极区；源极区，其通过所述第二化合物半导体材料延伸至所述第一化合物半导体材料并与所述掩埋式场板接触；以及漏极区，其通过所述第二化合物半导体材料延伸至所述第一化合物半导体材料并与所述源极区和所述掩埋式场板间隔开；还包括设置在所述2DEG下面且与所述源极区接触的所述第一化合物半导体材料中的至少一个附加掩埋式场板，所述掩埋式场板中的相邻掩埋式场板通过所述第一化合物半导体材料的区域被相互间隔开。