| 发明名称 | 半导体封装构造及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。 | ||
| 申请公布号 | CN103268862B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310161037.8 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，所述基板单元的面积介于98平方毫米到412.1平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄巿楠梓加工区经三路26号 | ||