| 发明名称 | CMOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS器件的制作方法，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，侧墙背离栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。根据本发明的CMOS器件的制作方法，能够避免形成介电层和第二多晶硅层时的残留，进而避免影响CMOS器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106257645A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201510334004.8 | 申请日期 | 2015.06.16 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;闻正锋;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 张莲莲;黄健 |
| 主权项 | 一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙背离所述栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||