半导体器件及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离部分，在所述开口中的所述形成第二隔离部分；去除所述掩膜层；对所述第二隔离部分进行回蚀工艺，去除所述第二隔离部分两侧的部分侧壁；以及在所述第二隔离部分的两侧分别形成隔离侧墙，所述隔离侧墙覆盖所述第一隔离部分暴露出的上表面。本发明还公开了一种半导体器件。本发明提供的半导体器件及其制备方法能够有效地减少或避免有源区漏电，提高器件的电性能。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离部分，在所述开口中的所述形成第二隔离部分；去除所述掩膜层；对所述第二隔离部分进行回蚀工艺，去除所述第二隔离部分两侧的部分侧壁；以及在所述第二隔离部分的两侧分别形成隔离侧墙，所述隔离侧墙覆盖所述第一隔离部分暴露出的上表面，所述隔离侧墙的材料为非导电材料。