| 发明名称 | 具有晶界切换的存储器装置及用于制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有晶界切换的存储器装置及用于制造其的方法。该存储器装置包括在插在第一电极及第二电极之间的晶团材料。晶团材料包括埋在非结晶基体中的纳米晶粒。在操作期间，相变化反应发生在晶团材料中的晶粒间边界处，使得能降低操作功率。 | ||
| 申请公布号 | CN106257701A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201610423638.5 | 申请日期 | 2016.06.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜;何永涵 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极，具有一电极表面；一晶团材料(conglomerate material)，在该电极表面上，该晶团材料包括埋在一非结晶基体(amorphous matrix)中的多个纳米晶粒(nanocrystalline grains)；及一第二电极，在该晶团材料上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||