| 发明名称 | 剥离方法及超声波振动角 | ||
| 摘要 | 剥离方法及超声波振动角。在剥离方法中，包括：移设基板接合工序，在光器件层的正面(12a)隔着接合层(21)接合移设基板(20)；剥离层形成工序，从接合有移设基板(20)的光器件晶片(10)的外延基板(11)的背面(11a)侧照射对于外延基板(11)具有透过性且对于缓冲层(13)具有吸收性的波长的激光光线，并在外延基板(11)与缓冲层(13)之间的边界面形成剥离层(19)；及光器件层移设工序，使具备围绕该外延基板(11)的外周缘(11c)的形状的超声波振动角(40)接触到外周缘(11c)的背面(11d)，从而使外延基板(11)进行振动，并从该移设基板(20)剥离外延基板(11)，将光器件层(12)移设到移设基板(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN106067437A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201610247873.1 | 申请日期 | 2016.04.20 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 小柳将;邱晓明;田篠文照 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;金玲 |
| 主权项 | 一种剥离方法，将光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该光器件晶片在外延基板的正面隔着由GaN构成的缓冲层层叠光器件层而成，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在该光器件晶片的光器件层的正面隔着接合层接合移设基板；剥离层形成工序，从接合有该移设基板的光器件晶片的外延基板的背面侧照射脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层之间的边界面形成剥离层，其中，该脉冲激光光线的波长对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性；及光器件层移设工序，在该剥离层形成工序之后，使超声波振动角至少接触该外延基板的外周缘的背面，使该外延基板进行振动，从该移设基板剥离该外延基板，将该光器件层移设到该移设基板上，其中，该超声波振动角具备围绕该外周缘的形状且发出超声波振动。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||