半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底中的接触区；位于接触区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中接触区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在SOI晶片的半导体衬底中形成接触区，SOI晶片包括半导体衬底、掩埋绝缘层和半导体层的堆叠；在半导体层上形成多个掩模层；在所述多个掩模层中的最顶部的一个中形成开口；在开口内壁形成侧墙形式的另一个掩模层；采用所述另一个掩模层作为硬掩模，将开口穿过所述多个掩模层和所述半导体层延伸到接触区；在开口内壁形成背栅电介质；在开口中形成背栅导体；在开口中形成绝缘帽盖，该绝缘帽盖包括所述另一个掩模层并且覆盖背栅电介质和背栅导体；采用绝缘帽盖作为硬掩模，将半导体层图案化为半导体鳍片；形成与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括前栅电介质和前栅导体，并且前栅电介质将前栅导体和半导体鳍片隔开；以及形成与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。