碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供能够抑制碳化硅基板的表面缺陷的碳化硅半导体装置的制造方法。首先，在碳化硅基板1的离子注入面，形成依次层叠了硅膜2以及碳膜3的双层结构的保护膜4，进行活化热处理。硅膜2的厚度t为1nm以上且3nm以下。碳膜3的厚度为20nm以上。通过在活化热处理后除去碳膜3，进行其后的工序而在碳化硅基板1的离子注入面形成单元结构。在除去碳膜3后，使用XPS法以X射线入射角度45°分析碳化硅基板1的离子注入面的情况下，在碳化硅基板1的离子注入面，以使出现在结合能285eV～286eV的sp2键的碳的峰值强度相对于出现在结合能283eV～284eV的碳化硅的峰值强度的比值为0.4以下的方式设定保护膜厚度。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：注入工序，从以碳化硅为材料的半导体基板的表面将杂质进行离子注入；形成工序，在所述半导体基板的离子注入了杂质的表面形成保护膜；和活化工序，对被所述保护膜覆盖的状态的所述半导体基板进行热处理而使所述杂质活化，在所述形成工序中，形成第一保护膜和第二保护膜的双层结构的所述保护膜，其中，所述第一保护膜在所述半导体基板的表面上形成，并且供给因所述热处理导致所述半导体基板中不足的原子，所述第二保护膜在所述第一保护膜的表面上形成，并且抑制在所述热处理时硅原子从所述半导体基板以及所述第一保护膜蒸发。