发明名称 |
低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔 |
摘要 |
低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。将应用材料的MxP刻蚀腔作为基本腔体,并在它的基础上加以改进,使之成为大规模生产类金刚石薄膜的专用设备。并在此基础上研究类金刚石薄膜在不同条件下的成分,晶体结构,和物理特性。由于所用的晶圆是6英寸或更小的晶圆,因此8英寸的MxP腔需要有下列的改进:晶圆托盘和对晶圆托盘的温度控制。 |
申请公布号 |
CN205839124U |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201620672597.9 |
申请日期 |
2016.06.30 |
申请人 |
上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
发明人 |
不公告发明人 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔,其特征在于它由腔体内的配气盘、腔体、气体流量控制器、静电吸盘、8英寸晶圆和托盘组成,所述配气盘放置于腔体内部上方,用于生产中输入反应气体;所述静电吸盘放置于配气盘下方,用于吸附晶圆和控制晶圆在反应过程中的温度;所述托盘和晶圆置于静电吸盘上;此反应刻蚀腔可大规模用来生长类金刚石薄膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区郭守敬路498号8幢19501-19503室 |