| 发明名称 | 具有高热传导率的、用于MRI的射频(RF)线圈 | ||
| 摘要 | 本发明名称为“具有高热传导率的、用于MRI的射频(RF)线圈”。公开了MRI设备和方法，包括磁共振成像(MRI)系统，该磁共振成像(MRI)系统具有围绕着磁体的孔放置的多个梯度线圈，以及由脉冲模块控制以向RF线圈组装件传送RF信号从而获取MR图像的RF收发器系统和RF开关。RF线圈组装件包括RF管、围绕着RF管部署且配置成传送RF激励脉冲的多个导电构件、耦合到导电构件的多个电组件、以及安装在RF管上的至少一个导热衬底，其中多个导电构件和多个电组件之一安装到至少一个导热衬底并与之热接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102540120B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201110283283.1 | 申请日期 | 2011.09.14 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | S·萨哈;江隆植;T·J·黑文斯 |
| 分类号 | G01R33/36(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;朱海煜 |
| 主权项 | 一种MRI设备，包括：磁共振成像(MRI)系统(10)，其具有围绕着磁体(54)的孔放置的多个梯度线圈(50)，以及由脉冲模块(38)控制以向RF线圈组装件(56、200、300)传送RF信号从而获取MR图像的RF收发器系统(58)和RF开关(62)，其中所述RF线圈组装件(56、200、300)包括：RF管(202、302)；RF线圈，所述RF线圈包括多个导电构件(206、304)以及多个电组件(208)；所述多个导电构件(206、304)在所述RF管(202、302)周围部署并配置成传送RF激励脉冲；所述多个电组件(208)耦合到所述导电构件(206、304)；以及至少一个导热衬底(210、306)，其安装在所述RF管(202、302)上，其中，所述多个导电构件(206、304)和所述多个电组件(208)之一安装到所述至少一个导热衬底(210、306)并与之热接触，从而在所述RF线圈的发热组件和所述RF管之间提供屏障。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||