| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。本发明的半导体器件能够提高屏蔽能力、减少衬底损耗，提高半导体器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104103630B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310113669.7 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 程仁豪;王西宁;刘凌 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/552(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||