| 发明名称 | 发射辐射的器件和用于制造发射辐射的器件的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种发射辐射的器件（1），所述发射辐射的器件具有半导体芯片（2）和转换元件（3），所述半导体芯片具有带有设置为用于产生初级辐射的有源区域（23）的半导体本体（20），所述转换元件（3）设置为用于至少部分地转换初级辐射。转换元件（3）借助于连接层（4）固定在半导体芯片（2）上并且在连接层（4）中构成有辐射转换材料（45）。此外，提出一种用于制造发射辐射的器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103069592B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201180041377.6 | 申请日期 | 2011.08.09 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 斯特凡·普雷乌斯 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 发射辐射的器件(1)，具有半导体芯片(2)和转换元件(3)，所述半导体芯片具有带有设置为用于产生初级辐射的有源区域(23)的半导体本体(20)，所述转换元件设置为用于至少部分地转换所述初级辐射，其中‑所述转换元件(3)是预先制造的转换元件，所述转换元件借助于连接层(4)固定在所述半导体芯片(2)上；‑在所述连接层(4)中构成辐射转换材料(45)；‑在所述转换元件中构成窗口(30)，穿过所述窗口电接触或能够电接触所述半导体芯片(2)的接触部(91，92)；‑所述窗口在所述半导体芯片(2)的俯视图中构成在所述半导体本体(20)的旁边；并且‑所述连接层(4)至少局部地邻接于所述接触部。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||