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이미지 센서 아키텍쳐는, 기계적 셔터의 이용을 요구하지 않고 100 dB 초과의 SNR을 제공한다. 액티브 픽셀 센서 어레이에 대한 회로 컴포넌트들은, 하이브리드 칩 구조에서 적어도 2개의 상이한 층들에서 수직으로 배열되고 분리된다. 최상부 층은 바람직하게는, 저잡음 PMOS 제조 프로세스를 이용하여 제조되고, 각각의 픽셀에 대한 광다이오드 및 증폭기 회로를 포함한다. 바닥 층은 바람직하게는 표준 CMOS 프로세스를 이용하여 제조되고, 신호 프로세싱을 위해 요구되는 임의의 디지털 회로 및 NMOS 픽셀 회로 컴포넌트들을 포함한다. 저잡음 픽셀들을 형성하기 위해 최적화된 PMOS 프로세스에서 최상부 층을 형성함으로써, 픽셀 성능은, CMOS를 이용하는 것에 비해 크게 개선될 수 있다. 또한, 디지털 회로는 이제, 이미징 회로로부터 분리되기 때문에, 디지털 회로는, 회로 속도 및 제조 비용을 위해 최적화된 표준 CMOS 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다. 2개의 층들을 적층된 구조로 결합함으로써, 최상부 층(및 임의의 중간 층(들))은 광학적으로 하부 층을 차폐하도록 동작하여, 기계적 셔터에 대한 요구없이, 전하가 저장되고 차폐되도록 허용한다. |
