| 发明名称 | 存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法。提供一种存储单元，所述存储单元包括：第一二端存储元件；第二二端存储元件；控制器电路，其被配置成将所述第一二端存储元件编程至一个或多个状态并将所述第二二端存储元件编程至一个或多个状态，其中所述第一二端存储元件的状态和所述第二二端存储元件的状态相互依赖；以及测量电路，其被配置成测量与所述第一二端存储元件的状态相关联的第一二端存储元件信号和与所述第二二端存储元件的状态相关联的第二二端存储元件信号之间的差信号。 | ||
| 申请公布号 | CN103247338B | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201310050079.4 | 申请日期 | 2013.02.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | W.阿勒斯;M.耶弗雷莫夫;J.奥特斯泰特;C.彼得斯;R.韦斯纳 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种存储单元，包括：第一二端存储元件；第二二端存储元件；控制器电路，其被配置成通过在所述第一二端存储元件和所述第二二端存储元件上施加第一电压或第二电压，将所述第一二端存储元件编程至一个或多个状态并将所述第二二端存储元件编程至一个或多个状态，其中所述第一二端存储元件的状态和所述第二二端存储元件的状态相互依赖；以及测量电路，其被配置成测量与所述第一二端存储元件的状态相关联的第一二端存储元件信号和与所述第二二端存储元件的状态相关联的第二二端存储元件信号之间的差信号。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||