发明名称 |
密钥生成方法及密钥生成装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了密钥生成方法及密钥生成装置,所述密钥生成方法包括:选取静态随机存储器SRAM的预定地址段内的数据作为初始数据;获取与所述初始数据相对应的纠错码;使用所述纠错码对所述初始数据进行纠错生成纠错结果;根据所述纠错结果生成密钥。所述密钥生成装置包括:选取单元,获取单元,纠错单元,生成单元。 |
申请公布号 |
CN103338107B |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201310221653.8 |
申请日期 |
2013.06.05 |
申请人 |
北京华大信安科技有限公司 |
发明人 |
滕虓宇;马文波;张炜;于立波 |
分类号 |
H04L9/08(2006.01)I |
主分类号 |
H04L9/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种密钥生成方法,其特征在于,所述方法包括:选取静态随机存储器SRAM的预定地址段内的数据作为初始数据;获取与所述初始数据相对应的纠错码;使用所述纠错码对所述初始数据进行纠错生成纠错结果;根据所述纠错结果生成密钥;其中,在所述获取与所述初始数据相对应的纠错码之前,还包括:预先生成所述初始数据的纠错码;将所述纠错码保存到非易失性存储器NVM;所述获取与所述初始数据相对应的纠错码具体为:从所述NVM获取所述纠错码;其中,所述预先生成所述初始数据的纠错码,包括:获取所述SRAM的预定地址段内数据的初始值变化率;选择能够对数据错误率大于或等于所述初始值变化率的数据进行纠错的算法作为基准算法;选取所述SRAM从第一次上电到首次生成密钥过程中任意一次上电后所述预定地址段内数据作为基准数据;使用所述基准算法生成所述基准数据的纠错码。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区东直门外万红西街2号21幢B座四、五层 |