发明名称 |
一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构 |
摘要 |
本实用新型提供了一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构,包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、N型电极和P型电极,还包括热扩散件、导热焊盘、绝缘膜、ITO层、增透膜、绝缘荧光层、连接桥和隔离槽,所述的衬底上面依次设有缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层和增透膜,不同的LED芯片单元通过隔离槽进行隔离,隔离槽内填充有绝缘荧光层,N型层和P型层上分别设有N型电极和P型电极,电极之间通过连接桥相连,衬底底部依次设有绝缘膜导热焊盘和热扩散件。本实用新型提供了一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构,能够改善高压LED芯片散热问题,降低反射损耗和光线的全内反射,其布局合理、结构新颖,绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。 |
申请公布号 |
CN205845996U |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201620784122.9 |
申请日期 |
2016.07.22 |
申请人 |
肇庆市欧迪明科技有限公司 |
发明人 |
陈锦全 |
分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
代理机构 |
广州市南锋专利事务所有限公司 44228 |
代理人 |
杨英华 |
主权项 |
一种适合于芯片级封装的高压覆晶LED芯片结构,包括衬底(4)、缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、N型电极(14)和P型电极(15),其特征在于:还包括热扩散件(1)、导热焊盘(2)、绝缘膜(3)、ITO层(9)、增透膜(10)、绝缘荧光层(11)、连接桥(12)和隔离槽(13),所述的衬底(4)上面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10),不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离,隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11),N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15),电极之间通过连接桥(12)相连,衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)。 |
地址 |
526073 广东省肇庆市高新区沙沥工业园健康家人公司车间1南面 |