III-N NONPLANAR III-N TRANSISTORS WITH COMPOSITIONALLY GRADED SEMICONDUCTOR CHANNELS

摘要

III-N 반도체 채널은 천이층과 III-N 분극층 사이에서 조성적으로 등급화된다. 실시예들에서, 게이트 스택은 등급화된 III-N 반도체 채널을 포함하는 핀의 측벽들 위에 적층되어, 게이트 바이어스 전압에 응답하어 적어도 측벽 표면들 양자 모두에 인접하는 III-N 반도체 채널에 전송 채널의 형성을 가능하게 한다. 실시예들에서, 게이트 스택은 조성적으로 등급화된 III-N 반도체 채널을 포함하는 나노와이어 주변에 완전히 적층되어, 게이트 바이어스 전압에 응답하여 분극층 및 천이층 양자 모두에 인접하는 III-N 반도체 채널에 전송 채널의 형성을 가능하게 한다.