发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM
摘要 본 발명은 기판 처리 장치에서 부생성물의 퇴적을 억제한다. 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급계와, 처리 용기의 개구부를 기밀하게 폐색하는 씰 캡을 포함하는 기판 처리 장치로서, 불활성 가스 공급계는 씰 캡 중앙부의 제1 분출부에 불활성 가스를 공급하는 제1 공급관; 상기 개구부 측의 단부의 내벽면과 대향하는 위치의 제2 분출부에 불활성 가스를 공급하는 제2 공급관; 제1 및 제2 공급관에 접속된 제3 공급관에 설치된 유량 제어기; 및 제1 및 제2 공급관의 적어도 일방에 설치되고 가스가 흐르는 유로를 교축하는 교축부;를 포함하고, 처리 용기 내에 처리 가스를 공급할 때, 유량 제어기로 유량 제어한 불활성 가스를 제3 공급관으로부터 제1 및 제2 공급관에 공급하고, 제1 공급관의 불활성 가스를 제1 분출부로부터 처리 용기 내에 분출시키고, 제2 공급관의 불활성 가스를 제2 분출부로부터 상기 내벽면을 향해 분출시킨다.
申请公布号 KR101688820(B1) 申请公布日期 2016.12.22
申请号 KR20150038659 申请日期 2015.03.20
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 니시다 마사야;사사지마 료타;나카시마 세이요;미야시타 토모야스
分类号 H01L21/02;H01L21/683 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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