| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。 | ||
| 申请公布号 | CN106252490A | 申请公布日期 | 2016.12.21 |
| 申请号 | CN201610132725.5 | 申请日期 | 2016.03.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 胜野弘;泽野正和;宫部主之 |
| 分类号 | H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于：包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、以及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；以及第2金属层，电连接于所述第2半导体层；所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||