迭片多层厚膜电路的联接工艺

摘要

一种迭片多层厚膜电路的联接工艺及其制备方法，联接过程是：将待联接的厚膜电路膜片的表面印刷S保护釉料；然后在厚膜电路膜片的共对应点上各印刷多个E料块联接；最后将厚膜电路膜片的待联接面迭合在一起并置于匣钵模，于480—520℃烧结20—30分钟。或者联接过程是：在需要电联接的厚膜电路膜片上印刷低温银浆F；再对厚膜电路膜片的表面印刷S保护釉料；然后在厚膜电路膜片的共对应点上各印刷多个E料块联接，最后将厚膜电路膜片的待联接面迭合在一起并置于匣模，并于480—520℃烧结20—30分钟。本发明制备工艺简单、成品率高。

主权项

一种迭片多层厚膜电路的联接工艺，其特征在于，对已经完成多层布线、孔金属化，并完成厚膜元件制作和调整的厚膜电路膜片进行联接；具体联接过程是：在各个厚膜电路膜片的待联接的表面分别印刷S保护釉料；然后在厚膜电路膜片之间的共对应点上各印刷多个E料块联接；最后将各厚膜电路膜片的待联接面迭合在一起并置于匣钵模，于480—520℃烧结20—30分钟；按照重量份计，所述S保护釉料含有如下份数的原料：A：50‑85；B:10‑50；C：30‑50；S保护釉料的制备工艺，包括：按照组成称量组分，并分别置于搅拌式球磨罐中，按料：球＝1:2的比例球磨20‑30分钟，取出盛装得到S保护釉料；其中，A为无铅易熔绿色环保玻璃，按照重量百分比计，含有如下份数的原料：SiO₂：40‑60；TiO₂：0‑20；ZnO：4‑10；KF：5‑30；脱水硼砂：8‑15；A的制备工艺包括如下步骤：(a1)将原料于110‑120℃下烘干40‑70分钟；(a2)将原材料置于搅拌罐内搅拌混合2‑3分钟，然后取出装入容置匣钵或者坩埚或者直接导入熔制炉膛；(a3)以320‑360℃/小时的升温速度升温至1020‑1120℃，保温35‑45分钟，使玻璃处于低粘度充分混合熔融状态，再取出或开阀使玻璃液冷却或注入水中淬火呈玻璃颗粒；(a4)把冷却的玻璃块或玻璃颗粒置于破碎机粉碎制成粒度不大于3微米的玻璃粉A；其中，B含有如下份数的原料：ZnO：25‑35；Cr₂O₃：0‑3；CuO：0‑4；MnO₂：0‑3；NiO：0‑3；Co₂O₃：0‑3；BaCO₃：4‑6；Al₂O：0‑10；脱水硼砂：35‑40；B的制备工艺包括如下步骤：将原料置于搅拌式球磨机罐中，按料：锆球：水＝1:2:1.2的比例搅拌球磨2.5‑3.5小时至粒度不大于3微米，取出烘干过筛得到B组份；其中，C含有如下份数的原料：甲基纤维素：6‑10；丙三醇：2‑2.5；水：90‑100；C的制备工艺是：按照配比将原料放于容器中，经100℃水浴，并在玻璃棒搅拌下制成胶水；E含有如下份数的原料：D:60‑100；C：35‑45；其中，D含有如下份数的原料：A：65‑85；ZnO：2‑4；KF：0‑8；BaO：0‑3；脱水硼砂：3‑6；D的制备工艺是：按照配比将原料放于球磨罐中，按料：锆球：水＝1:2:1.2的比例搅拌球磨3.5‑4.5小时至粒度不大于3微米，取出烘干过筛得到D组份。