一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法

摘要

本发明公开了一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法，该方法首先分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层，对生长过绝缘层的两个衬底进行键合；其次通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞，直至绝缘层，并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层；最后对半导体材料层进行研磨，直到研磨到阻挡层，得到高平整度绝缘层上半导体结构。本发明将阻挡层注入需要研磨的半导体表面，阻挡层会阻止研磨机对低于阻挡层的半导体材料的研磨，对研磨过程中SOI材料的厚度有一定的控制作用，从而得到高平整的SOI材料，有效解决了传统SOI研磨工艺中表面倾斜和不平整的问题。

主权项

一种制备高平整度绝缘层上半导体结构的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)分别在硅衬底和所需的半导体材料的表面生长绝缘层；(2)对生长过绝缘层的两个衬底进行键合；(3)通过光刻和刻蚀工艺在半导体材料层刻蚀出孔洞，直至绝缘层，并在刻蚀好的孔洞中填充高硬度物质充当阻挡层；阻挡层高度为所需半导体材料的高度；(4)对半导体材料层进行研磨，直到研磨到阻挡层，得到高平整度绝缘层上半导体结构。