用于嵌入式闪存的双控制栅极间隔结构

摘要

本公开涉及一种分离式栅极闪存单元。在一些实施中，分离式栅极闪存单元具有与半导体衬底通过栅极介电层分隔开的选择栅极。控制栅极布置在选择栅极的一侧上。电荷捕获层具有设置在选择栅极和控制栅极之间的垂直部分以及在控制栅极下方延伸的横向部分。第一控制栅极间隔件布置在电荷捕获层的横向部分上且沿着控制栅极的外侧壁连续延伸。第二控制栅极间隔件布置在电荷捕获层的横向部分上且沿着第一控制栅极间隔件的外侧壁延伸。第一和第二控制栅极间隔件的底表面与控制栅极的底表面大致共平面。本发明还提供了一种集成电路(IC)以及形成分离式栅极存储器件的方法。

主权项

一种分离式栅极存储单元，包括：选择栅极，与半导体衬底通过栅极介电层分隔开；控制栅极，布置在所述选择栅极的一侧；电荷捕获层，具有设置在所述选择栅极和所述控制栅极之间的垂直部分以及在所述控制栅极下方延伸的横向部分；第一控制栅极间隔件，布置在所述电荷捕获层的所述横向部分上且沿着所述控制栅极的外侧壁连续延伸；以及第二控制栅极间隔件，布置在所述电荷捕获层的所述横向部分上且沿着所述第一控制栅极间隔件的外侧壁延伸，其中，所述第一控制栅极间隔件的底表面和所述第二控制栅极间隔件的底表面与所述控制栅极的底表面大致共平面。