半导体装置

摘要

本发明能对半导体装置进行薄型化。半导体装置(1)包括收纳在树脂壳体(10)的收纳开口部(12)中的绝缘基板(20)，该绝缘基板(20)包括绝缘板(21)、形成在绝缘基板(21)的上表面上的第一金属层(22)、形成在该上表面的外周缘部并且与阶梯部(13)抵接的第二金属层(23)、形成在绝缘板(21)的下表面上并且与树脂壳体(10)的下表面对齐为同一平面或从树脂壳体(10)的下表面突出的第三金属层(24)。第二金属层(23)如上所述，通过对形成在陶瓷基板(21)上的铜箔进行蚀刻，形成相同厚度的第一金属层(22)和第二金属层(23)。由此形成的第二金属层(23)能配合树脂壳体(10)的收纳深度，比较自由地改变其厚度。因此，能对半导体装置(1)进行薄型化。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：壳体，该壳体在第一主面侧形成收纳开口部，并且在所述收纳开口部的内周设置有阶梯部；绝缘基板，该绝缘基板被收纳在所述收纳开口部中，并且具备绝缘板、形成在所述绝缘板的第二主面上的第一金属层、形成在所述第二主面的外周缘部并与所述阶梯部抵接的第二金属层、形成在所述绝缘板的第三主面上并与所述第一主面对齐为同一平面或从所述第一主面突出的第三金属层；以及设置在所述第一金属层上的半导体元件。