发明名称 晶片的加工方法
摘要 提供晶片的加工方法,在磨削后,将用于在晶片的正面上装配保护板以便在对晶片的背面进行磨削时保护器件的接合材料从晶片的正面可靠地去除。晶片的加工方法包含如下的工序:水溶性树脂包覆工序,在晶片的正面上包覆水溶性的液状树脂而形成薄膜;保护板固定工序,在对晶片的正面进行保护的保护板与薄膜之间夹设接合材料而将晶片固定于保护板;背面磨削工序,利用卡盘工作台对固定了晶片的保护板侧进行保持,对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度;保护板剥离工序,将接合材料与固定了晶片的保护板一同剥离;以及接合材料去除工序,对晶片的正面上残留的接合材料提供水,将薄膜与接合材料一同去除。
申请公布号 CN106252198A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610402841.4 申请日期 2016.06.08
申请人 株式会社迪思科 发明人 中村胜
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;于靖帅
主权项 一种晶片的加工方法,对晶片进行加工,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线,并且在由该多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:水溶性树脂包覆工序,在晶片的正面上包覆水溶性的液状树脂而形成薄膜;保护板固定工序,在对晶片的正面进行保护的保护板与该薄膜之间夹设接合材料而将晶片固定于保护板;背面磨削工序,利用卡盘工作台对固定了晶片的该保护板侧进行保持,对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度;保护板剥离工序,在实施了该背面磨削工序之后,将该接合材料与固定了晶片的该保护板一同剥离;以及接合材料去除工序,对实施了该保护板剥离工序的晶片的正面上残留的该接合材料提供水,将该薄膜与该接合材料一同去除。
地址 日本东京都
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