发明名称 |
一种半导体用的铜线及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体用的铜线及其制备方法,由以下重量份的原料制备而成:Cu 77~88份、镁1.2~1.8份、银0.4~0.7份、铁0.05~0.15份、铬2.1~5.2份、铝2~4份、镍0.10~0.38份、钼1.8~2.5份、钕1.2~4.4份、铈3.3~3.5份、碳2~4份、稀土元素1~5份。本发明由Cu、镁、银、铁等,且镧、铈、镨、钕、钷经过熔炼、拉伸加工、退火热处理等工序制成直径为18~25μm的铜线。由于铜线的成分中铜含量大于99.99%,并控制其他微量元素的含量,采用这种合金成分的铜线,既可以提升铜线的延伸率,从而改善焊接效果,又具有比金线成本更低的优点。 |
申请公布号 |
CN106244844A |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201610736631.9 |
申请日期 |
2016.08.29 |
申请人 |
芜湖楚江合金铜材有限公司 |
发明人 |
吴明辉;谢道金;狄风雨;孙强;李云飞;方荣;桑宗辉;丛明辉 |
分类号 |
C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C22C9/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京知识律师事务所 32207 |
代理人 |
高桂珍 |
主权项 |
一种半导体用的铜线及其制备方法,其特征在于,由以下重量份的原料制备而成:Cu 77~88份、镁 1.2~1.8份、银 0.4~0.7份、铁 0.05~0.15份、铬2.1~5.2份、铝2~4份、镍 0.10~0.38份、钼 1.8~2.5份、钕1.2~4.4份、铈 3.3~3.5份、碳2~4份、稀土元素 1~5份;上述原料按照以下步骤制备而成 :1)熔炼 :将原料按照配比投入到真空熔炼炉中在温度800‑1000℃下进行熔炼,得到铜液后倒入浇注容器内浇注成锭 ;2)拉伸:将步骤1制得的锭料加入到拉伸机内,先粗拉制成直径为 9mm 的铜线,然后进行中度拉伸为直径 1.1mm 的铜线,再进一步细度拉伸制成直径为 18 ~ 25μm 的铜线 ;3)退火处理 :将铜线缠绕在复绕机上,至于真空退火容器内,往内部通入氩气,在温度为280 ~ 420℃下进行真空退火,达到所要求的性能,制成所述的铜线;4)成品检验、分卷、入库。 |
地址 |
241000 安徽省芜湖市桥北工业园区红旗工业园 |