用于测试ISFET阵列的方法和装置

摘要

本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。

主权项

一种测试化学检测装置的方法，所述化学检测装置包括像素元件阵列，每个像素元件包括化学敏感的晶体管，所述化学敏感的晶体管具有源终端、排出装置终端和浮动栅终端，所述方法包括：共同地连接一组化学敏感的晶体管的源终端；在所述组的源终端处施加第一试验电压；测量由所述第一试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第一电流；基于所述第一试验电压和电流，计算电阻值；在所述组的源终端处施加第二试验电压，以在不同运行模式下运行所述组，其中所述第二试验电压至少部分地基于所述电阻值；测量由所述第二试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第二组电流；和基于所述化学敏感的晶体管的所述第二试验电压和电流以及运行性能，计算所述组中的每个化学敏感的晶体管的浮动栅电压；其中所述化学敏感的晶体管的不同运行模式包括三极管模式和饱和模式之一。