发明名称 |
一种闪速存储器及其进行坏块管理的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在闪速存储器及其进行坏块管理的方法,涉及NANDFlash存储器技术领域。本发明公开的闪速存储器包括:坏块检测模块,对用户发起的访问操作对应的块地址进行检测,判断该块是否为坏块;坏块地址表存储模块,存储所述坏块检测模块判断出的坏块的块地址;块地址映射模块,收到用户发起的访问操作时,从所述坏块地址表存储模块中查询该访问操作对应的逻辑地址中的块地址是否为坏块的块地址,若是,则将所述访问操作对应的逻辑地址中的块地址映射到好块的块地址上,再发送给闪速存储器内部进行地址译码。本发明还公开了一种闪速存储器进行坏块管理的方法。本申请技术方案提高了系统可靠性,更解决了SPI NAND Flash应用的瓶颈。 |
申请公布号 |
CN103778065B |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201210414610.7 |
申请日期 |
2012.10.25 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
苏志强;张现聚;刘奎伟;丁冲 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
栗若木;曲鹏 |
主权项 |
一种闪速存储器,其特征在于,该闪速存储器包括:坏块检测模块,对用户发起的访问操作对应的块地址进行检测,判断该块是否为坏块;坏块地址表存储模块,存储所述坏块检测模块判断出的坏块的块地址;块地址映射模块,收到用户发起的访问操作时,从所述坏块地址表存储模块中查询该访问操作的逻辑地址对应的块地址是否为坏块的块地址,若是,则将所述访问操作对应的逻辑地址中的块地址映射到好块的块地址上,再发送给闪速存储器内部进行地址译码。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |