形成FinFET的方法

摘要

本发明公开了一种形成FinFET的方法，该方法通过刻蚀一定厚度的硬掩膜形成暴露半导体基底的凹陷，并通过外延在凹陷中形成半导体鳍状物，是以无需通过刻蚀半导体基底形成半导体鳍状物，因此避免了现有技术中刻蚀半导体基底形成半导体鳍状物时其表面形貌粗糙度较高，对硅结晶产生破坏的问题，并且简化了制造工艺流程，与现有的CMOS工艺相融合，节省了生产成本。

主权项

一种形成FinFET方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上预定有有源区，且所述预定义的有源区中预定义有半导体鳍状物的位置；在所述半导体基底上依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；依次刻蚀所述衬垫氧化层和硬掩膜层，以在所述预定的有源区两侧的半导体基底中形成浅沟槽；在所述半导体基底上沉积介电材料，并进行化学机械研磨，以使所述介电材料表面与所述硬掩膜表面齐平；在所述硬掩膜层上形成图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层窗口对应于所述预定义的半导体鳍状物位置；以所述图案化的光阻胶层为屏蔽，依次刻蚀硬掩膜层以及衬垫氧化层，以形成凹陷，所述凹陷底部暴露所述半导体基底表面；通过外延，在所述凹陷底部暴露的半导体基底表面处形成半导体层，所述半导体层填充所述凹陷；依次刻蚀去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，并刻蚀去除位于半导体基底表面之上部分的介电材料，以暴露的所述半导体层为半导体鳍状物；在所述半导体鳍状物表面热氧化形成栅介质层；在半导体基底上沉积多晶硅层，形成垂直于半导体鳍状物延伸方向的栅极。