一种多晶硅靶材的铸造工艺

摘要

本发明属于硅质靶材的制备领域，具体涉及一种多晶硅靶材的铸造工艺。所述工艺包括以下步骤：(1)装入4‑5N的多晶硅料，并加入铁硼合金作为掺杂剂；(2)将装好的硅料投炉后抽真空，加热；(3)熔化阶段；(4)跳步至长晶阶段；(5)退火；(6)降温阶段。通过此工艺可将原料的纯度要求从5N降低到4N，从而大大降低了使用原料的成本；且通过该工艺得到的硅锭，可用部分的出成率能够达到75％左右，并避免了多晶硅靶材锭裂纹的出现等；另外，掺杂剂铁硼合金成本较低，市场普遍存在且分凝效果好，相比于硼铝合金出成率高5％以上。

主权项

一种多晶硅靶材的铸造工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)装入4‑5N的多晶硅料，并加入铁硼合金作为掺杂剂；(2)将装好的硅料投炉后抽真空，加热；(3)熔化阶段；(4)跳步至长晶阶段；(5)退火；(6)降温阶段。