发明名称 一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器及其制造方法
摘要 本发明提供了一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器,包括晶圆硅衬底,质量块,以及至少一个过载限位装置,过载限位装置由限位挡板和第二连接件组成,限位挡板一端与晶圆硅衬底相连,一端自由;第二连接件一端与晶圆硅衬底相连,一端与质量块相连。本发明还提供一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器的制造方法。限位挡板的厚度及限位距离由刻蚀工艺的刻蚀深度决定,整个晶圆的加工一致性好,采用机械限位结构,省去电学限位结构的复杂控制IC,从而保证限位过载保护的精确性,利于成品小型化。
申请公布号 CN106248993A 申请公布日期 2016.12.21
申请号 CN201610589605.8 申请日期 2016.07.26
申请人 上海芯赫科技有限公司 发明人 朱二辉;周志健;陈磊;杨力建;邝国华
分类号 G01P15/125(2006.01)I;G01P15/08(2006.01)I 主分类号 G01P15/125(2006.01)I
代理机构 广东莞信律师事务所 44332 代理人 曹柏荣;廖志男
主权项 一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器,包括晶圆硅衬底,其特征在于,还包括质量块以及至少一个过载限位装置,所述过载限位装置由第二连接件和限位挡板组成,所述第二连接件一端与所述晶圆硅衬底相连,另一端与所述质量块相连,所述限位挡板一端与所述晶圆硅衬底相连,另一端自由,所述第二连接件下方具有第一内空腔,所述限位挡板下方具有第二内空腔,所述第一内空腔上方为悬空薄膜结构,所述第二连接件和所述限位挡板均为所述悬空薄膜结构的一部分,所述悬空薄膜结构与所述晶圆硅衬底电绝缘,所述第二内空腔位于所述悬空薄膜结构内,所述第一内空腔上方的悬空硅膜设置有第一释放槽,所述第二内空腔上方的悬空硅膜设置有第二释放槽。
地址 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J237室