一种沟槽栅型IGBT及其制备方法

摘要

本申请公开了一种沟槽栅型IGBT及其制备方法，其中，所述沟槽栅型IGBT的制备方法在将所述沟槽栅暴露出来后，首先在所述沟槽栅表面形成一层导电层，然后在所述导电层背离所述沟槽栅一侧形成栅极，所述导电层和所述栅极共同构成所述沟槽栅型IGBT的细栅线，由于所述导电层的导电能力要强于多晶硅的导电能力，因此由所述导电层和所述栅极构成的细栅线的导电能力要强于由多晶硅和所述栅极构成的细栅线的导电能力，从而使用较少的主栅线连接，从而提升器件的有源区面积，进而提升器件的电流密度。由所述导电层和所述栅极构成的细栅线也可以保证所述沟槽栅型IGBT的各个元胞接收到的栅极信号的同步性。

主权项

一种沟槽栅型IGBT的制备方法，其特征在于，包括：提供第一掺杂类型的衬底；在所述衬底正面内部形成第二掺杂类型的基区，并在所述基区内部形成多个沟槽栅；形成覆盖所述衬底正面的绝缘层，并对所述绝缘层进行刻蚀，使所述沟槽栅至少部分暴露出来；在所述沟槽栅背离所述衬底一侧表面形成导电层；在所述导电层背离所述沟槽栅一侧形成栅极；形成所述沟槽栅型IGBT的发射区、发射极和背面结构。