具有在行方向中的单元边界上延伸的字线着陆焊盘的高密度SRAM阵列设计

摘要

静态随机存取存储器(SRAM)单元(340)包括第一导电层(M1)，该第一导电层包括延伸到存储器阵列的毗邻行中的相邻存储器单元(360)中的字线着陆焊盘(320)。第一导电层中的字线着陆焊盘与相邻存储器单元的所有栅极触点电隔离。SRAM单元还包括第二导电层，该第二导电层包括耦合至第一导电层中的字线着陆焊盘的字线(WL1)。SRAM单元进一步包括将SRAM单元中的传输晶体管栅极的栅极触点耦合至第一导电层中的字线着陆焊盘的第一通孔(通孔0)以及耦合字线着陆焊盘和第二导电层的字线的第二通孔(通孔1)。

主权项

一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一导电层，所述第一导电层包括延伸到存储器阵列的毗邻行中的相邻存储器单元中的字线着陆焊盘，所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘与所述相邻存储器单元的所有栅极触点电隔离；第二导电层，所述第二导电层包括耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的字线；将所述SRAM单元中的传输晶体管栅极的栅极触点耦合至所述第一导电层中的所述字线着陆焊盘的第一通孔；以及耦合所述字线着陆焊盘和所述第二导电层的字线的第二通孔。